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三星Galaxy S8或将采用SK海力士8GB LPDDR4X内存芯片

2017-01-11 14:18:26 作者:佚名 (评论0条)

【原标题】三星Galaxy S8可能会采用SK海力士8GB LPDDR4X内存芯片

三星即将推出的Galaxy S8智能手机肯定会是一个令人兴奋的旗舰产品,相关的各种信息继续浮出水面。最新的消息是它将采用8GB内存芯片,这种芯片由SK海力士制造。SK海力士是韩国第二大芯片制造商,它刚刚宣布了全新移动DRAM芯片,这将是Galaxy S8的亮点。另外消息人士声称,新的芯片也可能安装在苹果的iPhone 8当中,iPhone8将于今年晚些时候发布。

SK海力士表示,这种低功耗双倍数据速率的4X芯片具有世界上最高的8GB密度,据说比目前Galaxy S7和Galaxy S7 Edge使用的LPDDR4多出20%的功率效率。,它使用双通道技术连接两个堆叠在四层当中的8GB DRAM芯片。存储器芯片尺寸为12毫米x 12.7毫米,深度为1毫米。这意味着,与目前的8GB DRAM芯片相比,它在移动设备中占用的空间减少了约30%。新芯片使用64位输入输出端口每秒可以处理34.1GB数据。

新芯片最有可能在Galaxy S8当中与高通骁龙835处理器协同工作,它的尺寸也比其前身更小,性能有所提高,高通骁龙835处理器内建Adreno 540图形处理单元,赋予其卓越的图形性能。SK海力士预计,今年8GB移动DRAM芯片的需求将增加,因为它们将成为今年智能手机的流行配置。

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芯片


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